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RFD3055LESM
0.043
RFD3055LESM 数据手册 (10 页)
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RFD3055LESM 技术参数、封装参数

类型
描述
引脚数
3 Pin
封装
TO-252
上升时间
105 ns
输入电容值(Ciss)
350pF @25V(Vds)
下降时间
39 ns
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
38000 mW

RFD3055LESM 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Rail
材质
Silicon

RFD3055LESM 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
10 页 / 1.25 MByte
ON Semiconductor(安森美)
10 页 / 1.27 MByte

RFD3055 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
11A , 60V , 0.107欧姆,逻辑电平, N沟道功率MOSFET 11A, 60V, 0.107 Ohm, Logic Level, N-Channel Power MOSFETs
Harris
N沟道 60V 12A
Intersil(英特矽尔)
12A , 60V , 0.150 Ohm的N通道功率MOSFET 12A, 60V, 0.150 Ohm, N-Channel Power MOSFETs
ON Semiconductor(安森美)
Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  RFD3055LESM9A  晶体管, MOSFET, N沟道, 11 A, 60 V, 0.107 ohm, 5 V, 3 V
Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  RFD3055LE  晶体管, MOSFET, N沟道, 11 A, 60 V, 107 mohm, 5 V, 3 V
ON Semiconductor(安森美)
增强模式 N 通道 MOSFET, Fairchild Semiconductor增强模式场效应晶体管 (FET) 使用了 Fairchild 的专利高单元密度的 DMOS 技术进行生产。 这种高密度工艺设计用于尽量减小通态电阻,提供耐用可靠的性能和快速切换。### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 (>250V) 低电压 (<250V) 类型。 先进的硅技术提供更小的芯片尺寸,其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
Fairchild(飞兆/仙童)
11A , 60V , 0.107欧姆,逻辑电平, N沟道功率MOSFET 11A, 60V, 0.107 Ohm, Logic Level, N-Channel Power MOSFETs
ON Semiconductor(安森美)
RFD3055LE 管装
Fairchild(飞兆/仙童)
12A , 60V , 0.150 Ohm的N通道功率MOSFET 12A, 60V, 0.150 Ohm, N-Channel Power MOSFETs
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