器件3D模型

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RFP30N06LE 数据手册 - Fairchild（飞兆/仙童）

制造商:

Fairchild（飞兆/仙童）

分类:

MOS管

封装:

TO-220-3

描述:

30A ， 60V ， ESD额定， 0.047欧姆，逻辑电平N沟道功率MOSFET 30A, 60V, ESD Rated, 0.047 Ohm, Logic Level N-Channel Power MOSFETs

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3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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RFP30N06LE 数据手册 (8 页)

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RFP30N06LE 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

60.0 V

额定电流

30.0 A

封装

TO-220-3

漏源极电阻

47.0 mΩ

极性

N-Channel

功耗

96 W

漏源极电压(Vds)

60 V

漏源击穿电压

60.0 V

连续漏极电流(Ids)

30.0 A

上升时间

88 ns

输入电容值(Ciss)

1350pF @25V(Vds)

下降时间

40 ns

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

96W (Tc)

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RFP30N06LE 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Unknown

包装方式

Tube

长度

10.67 mm

宽度

4.7 mm

高度

16.3 mm

工作温度

-55℃ ~ 175℃ (TJ)

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RFP30N06LE 符合标准

RFP30N06LE 海关信息

RFP30N06LE 数据手册

Fairchild（飞兆/仙童）

8 页 / 0.38 MByte

RFP30N06LE 其他数据使用手册

Fairchild（飞兆/仙童）

8 页 / 0.18 MByte

RFP30N06LE 产品设计图

Fairchild（飞兆/仙童）

1 页 / 0.09 MByte

RFP30N06 数据手册

RFP30N06LE 数据手册

Fairchild（飞兆/仙童）

30A ， 60V ， ESD额定， 0.047欧姆，逻辑电平N沟道功率MOSFET 30A, 60V, ESD Rated, 0.047 Ohm, Logic Level N-Channel Power MOSFETs

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