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RFP50N06
器件3D模型
0.933
RFP50N06 数据手册 (8 页)
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RFP50N06 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
60.0 V
额定电流
50.0 A
封装
TO-220-3
额定功率
131 W
通道数
1 Channel
针脚数
3 Position
漏源极电阻
22 mΩ
极性
N-Channel
功耗
131 W
阈值电压
4 V
漏源极电压(Vds)
60 V
漏源击穿电压
60 V
连续漏极电流(Ids)
50.0 A
上升时间
55 ns
输入电容值(Ciss)
2020pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
131 W
下降时间
13 ns
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
131 W

RFP50N06 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
长度
10.67 mm
宽度
4.83 mm
高度
9.4 mm
工作温度
-55℃ ~ 175℃ (TJ)

RFP50N06 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
8 页 / 1.28 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
20 页 / 2.6 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
1 页 / 0.06 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
2 页 / 0.55 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
1 页 / 0.14 MByte

RFP50 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  RFP50N06  晶体管, MOSFET, N沟道, 50 A, 60 V, 22 mohm, 10 V, 4 V
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor MegaFET 系列 Si N沟道 MOSFET RFP50N06, 50 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220AB封装
Fairchild(飞兆/仙童)
50A , 50V , 0.022欧姆,逻辑电平, N沟道功率MOSFET 50A, 50V, 0.022 Ohm, Logic Level, N-Channel Power MOSFETs
Intersil(英特矽尔)
50A , 50V , 0.022 Ohm的N通道功率MOSFET 50A, 50V, 0.022 Ohm, N-Channel Power MOSFETs
Intersil(英特矽尔)
50A , 60V , 0.022 Ohm的N通道功率MOSFET 50A, 60V, 0.022 Ohm, N-Channel Power MOSFETs
Fairchild(飞兆/仙童)
N沟道 60V 50A
Freescale(飞思卡尔)
ON Semiconductor(安森美)
Freescale(飞思卡尔)
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