RJP020N06T100

￥ 0.101

RJP020N06T100 数据手册 - ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

制造商:

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

分类:

MOS管

封装:

SOT-89-3

描述:

ROHM RJP020N06T100 晶体管, MOSFET, N沟道, 2 A, 60 V, 165 mohm, 4.5 V, 4.5 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

RJP020N06T100 数据手册 (5 页)

封装尺寸在1 页

典型应用电路图在4 页

RJP020N06T100 数据手册 (5 页)

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RJP020N06T100 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

60.0 V

额定电流

2.50 A

封装

SOT-89-3

通道数

1 Channel

针脚数

3 Position

漏源极电阻

165 mΩ

极性

N-Channel

功耗

500 mW

阈值电压

4.5 V

漏源极电压(Vds)

60 V

漏源击穿电压

60.0 V

连续漏极电流(Ids)

2.50 A

上升时间

18 ns

输入电容值(Ciss)

160pF @10V(Vds)

额定功率(Max)

500 mW

下降时间

20 ns

工作温度(Max)

150 ℃

耗散功率(Max)

500mW (Ta)

查看数据手册 >

RJP020N06T100 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

材质

Silicon

宽度

2.5 mm

工作温度

150℃ (TJ)

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RJP020N06T100 符合标准

RJP020N06T100 海关信息

RJP020N06T100 概述

RJP020N06T100 数据手册

RJP020N06T100 数据手册

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

5 页 / 0.87 MByte

RJP020N06T100 其他数据使用手册

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

3 页 / 0.05 MByte

RJP020N06T100 其他参考文件

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

1 页 / 0.16 MByte

RJP020N06 数据手册

RJP020N06 数据手册

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

RJP020N06 N沟道MOSFET 60V 2A SOT-89 marking/标记 LS 低栅极电荷/最小化驱动器损失/DC-DC转换器

RJP020N06T100 数据手册

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

ROHM RJP020N06T100 晶体管, MOSFET, N沟道, 2 A, 60 V, 165 mohm, 4.5 V, 4.5 V

RJP020N06FRAT100 数据手册

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

晶体管, MOSFET, N沟道, 2 A, 60 V, 0.165 ohm, 4.5 V, 1.5 V

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