￥ 0.039

RK7002AT116 数据手册 - ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

制造商:

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

分类:

MOS管

封装:

SOT-23-3

描述:

场效应管(MOSFET) RK7002AT116 SOT-23-3

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

RK7002AT116 数据手册 (5 页)

封装尺寸在1 页

RK7002AT116 数据手册 (5 页)

查看文档

或点击图片查看大图

RK7002AT116 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

60.0 V

额定电流

300 mA

封装

SOT-23-3

漏源极电阻

1.10 Ω

极性

N-Channel

功耗

200 mW

漏源极电压(Vds)

60 V

漏源击穿电压

60.0 V

连续漏极电流(Ids)

300 mA

上升时间

5 ns

输入电容值(Ciss)

33pF @10V(Vds)

额定功率(Max)

200 mW

下降时间

80 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

200mW (Ta)

查看数据手册 >

RK7002AT116 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Obsolete

包装方式

Tape & Reel (TR)

材质

Silicon

长度

2.9 mm

宽度

1.3 mm

高度

0.95 mm

工作温度

150℃ (TJ)

查看数据手册 >

RK7002AT116 符合标准

RK7002AT116 数据手册

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

5 页 / 0.08 MByte

RK7002AT116 其他数据使用手册

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

5 页 / 0.08 MByte

RK7002AT116 其他参考文件

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

1 页 / 0.16 MByte

RK7002 数据手册

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

RK7002 N沟道MOSFET 60V 115mA/0.115A SOT-23/SC-59 marking/标记 RKM 低的RDS/栅极电荷

RK7002BMT116 数据手册

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

N沟道 60 V 0.2 W 表面贴装 2.5 V 驱动硅功率 Mosfet - SOT-23

RK7002T116 数据手册

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

ROHM RK7002T116 晶体管, MOSFET, N沟道, 500 mA, 60 V, 7.5 ohm, 10 V, 1.85 V

RK7002BT116 数据手册

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

2.5V驱动N沟道MOSFET 2.5V Drive Nch MOSFET

RK7002BMHZGT116 数据手册

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

晶体管, MOSFET, N沟道, 250 mA, 60 V, 1.7 ohm, 10 V, 2.3 V

RK7002AT116 数据手册

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

场效应管(MOSFET) RK7002AT116 SOT-23-3

RK7002A 数据手册

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

RK7002A N沟道MOSFET 60V 300mA/0.3A SOT-23/SC-59 marking/标记 RKS 快速开关/低RDS

RK7002B 数据手册

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

2.5V驱动N沟道MOSFET 2.5V Drive Nch MOSFET

RK7002BM 数据手册

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

器件 Datasheet 文档搜索

AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

热门型号