图片仅供参考

RK7002 数据手册

型号系列:

RK7002 系列

分类:

晶体管

描述:

RK7002 N沟道MOSFET 60V 115mA/0.115A SOT-23/SC-59 marking/标记 RKM 低的RDS/栅极电荷

文档:

RK7002BMT116 数据手册 (14 页)

更新于: 2023/01/13 02:30:37 (UTC + 8)

RK7002 晶体管数据手册

RK7002BMT116

数据手册 (14 页)

4.2

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

RK7002BMHZGT116

数据手册 (13 页)

1.7

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

RK7002BT116

数据手册 (6 页)

2.2

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

RK7002B

数据手册 (6 页)

0.2

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

RK7002 数据手册晶体管

RK7002AT116

数据手册

5 页

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

RK7002A

数据手册

5 页

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

RK7002A N沟道MOSFET 60V 300mA/0.3A SOT-23/SC-59 marking/标记 RKS 快速开关/低RDS

RK7002T116

数据手册

4 页

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

ROHM RK7002T116 晶体管, MOSFET, N沟道, 500 mA, 60 V, 7.5 ohm, 10 V, 1.85 V

RK7002

数据手册

4 页

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

RK7002 N沟道MOSFET 60V 115mA/0.115A SOT-23/SC-59 marking/标记 RKM 低的RDS/栅极电荷

更多 RK7002 数据手册 >

RK7002 - ROHM Semiconductor（罗姆半导体）技术参数、封装参数

类型

描述

封装

SOT-23

极性

N-CH

漏源极电压(Vds)

60 V

连续漏极电流(Ids)

0.115A

RK7002 - ROHM Semiconductor（罗姆半导体）概述

●最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage| 60V \---|--- 最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage| 20V 最大漏极电流Id Drain Current| 115mA/0.115A 源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance| 7.5Ω/Ohm @500mA,10V 开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage| 1.0-2.5V 耗散功率Pd Power Dissipation| 225mW/0.225W Description & Applications| Interface and switching (60V, 115mA) Silicon N-channel MOSFET Features Low on-resistance. Fast switching speed. Wide SOA (safe operating area). Low-voltage drive. Easily designed drive circuits. Easy to use in parallel. 描述与应用| 接口和开关（60V，115毫安）硅N沟道MOSFET 低导通电阻。开关速度快。宽安全工作区（SOA）低电压驱动。轻松驱动电路设计。易于并联使用

器件 Datasheet 文档搜索

AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

热门型号系列

RK7002 数据手册

RK7002 晶体管 数据手册

RK7002 数据手册 晶体管

RK7002 - ROHM Semiconductor（罗姆半导体） 技术参数、封装参数

RK7002 - ROHM Semiconductor（罗姆半导体） 概述

器件 Datasheet 文档搜索

关联型号

RK7002 晶体管数据手册

RK7002 数据手册晶体管

RK7002 - ROHM Semiconductor（罗姆半导体）技术参数、封装参数

RK7002 - ROHM Semiconductor（罗姆半导体）概述