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RQ1A070ZPTR
0.291
RQ1A070ZPTR 数据手册 (12 页)
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RQ1A070ZPTR 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
封装
SMD-8
极性
P-CH
功耗
700mW (Ta)
漏源极电压(Vds)
12 V
连续漏极电流(Ids)
7A
输入电容值(Ciss)
7400pF @6V(Vds)
额定功率(Max)
1.5 W
工作温度(Max)
150 ℃
耗散功率(Max)
700mW (Ta)

RQ1A070ZPTR 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Not For New Designs
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
3 mm
宽度
2.8 mm
高度
0.8 mm
工作温度
150℃ (TJ)

RQ1A070ZPTR 数据手册

ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
12 页 / 2.46 MByte
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
12 页 / 2.46 MByte

RQ1A070 数据手册

ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
RQ1A070APTR 编带
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
P 通道 MOSFET 晶体管,ROHM### MOSFET 晶体管,ROHM
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
晶体管, MOSFET, P沟道, -7 A, -12 V, 0.008 ohm, -4.5 V, -1 V
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