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IRG7PH35UPBF
4.44
IRG7PH35UPBF 数据手册 (10 页)
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IRG7PH35UPBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
封装
TO-247-3
额定功率
210 W
功耗
210 W
击穿电压(集电极-发射极)
1200 V
额定功率(Max)
210 W
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
210 W

IRG7PH35UPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Obsolete
包装方式
Tube
长度
15.87 mm
宽度
5.31 mm
高度
20.7 mm
工作温度
-55℃ ~ 175℃ (TJ)

IRG7PH35UPBF 数据手册

Infineon(英飞凌)
10 页 / 0.36 MByte
Infineon(英飞凌)
3 页 / 0.36 MByte
Infineon(英飞凌)
22 页 / 0.35 MByte
Infineon(英飞凌)
2 页 / 0.17 MByte
Infineon(英飞凌)
3 页 / 0.05 MByte

IRG7PH35 数据手册

Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRG7PH35UDPBF  单晶体管, IGBT, 50 A, 1.9 V, 180 W, 1.2 kV, TO-247AC, 3 引脚
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRG7PH35UD-EP  单晶体管, IGBT, N通道, 50 A, 2.3 V, 180 W, 1.2 kV, TO-247AD, 3 引脚 新
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRG7PH35UD1PBF  单晶体管, IGBT, 50 A, 1.9 V, 179 W, 1.2 kV, TO-247AC, 3 引脚
Infineon(英飞凌)
IGBT 晶体管 1200V UltraFast Discrete IGBT
Infineon(英飞凌)
IGBT 超过 21A,Infineon优化的 IGBT 设计用于中频应用,具有快速响应且为用户提供最大效率。 利用经优化的 FRED 二极管可提供最佳性能,带 IGBT### IGBT 晶体管,International RectifierInternational Rectifier 提供全面的 IGBT(绝缘栅级双极性晶体管)产品组合,范围从 300V 到 1200V,采用各种技术,可最大程度降低切换和传导损耗,从而提高效率、减少热敏问题并改善功率密度。 公司还提供多种 IGBT 压模,专门设计用于中到高功率模块。 对于需要最大可靠性的模块,可使用可焊接前部金属 (SFM) 压模来消除连接线,从而实现双面冷却,提高热敏性能、可靠性和效率。
International Rectifier(国际整流器)
International Rectifier IRG7PH35UD1PBF, N沟道 IGBT 晶体管, 50 A, Vce=1200 V, 3针 TO-247AC封装
International Rectifier(国际整流器)
International Rectifier(国际整流器)
International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRG7PH35UD1-EP  晶体管, IGBT, 1200V, 50A
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