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RQ1E050RPTR 数据手册 - ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

制造商:

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

分类:

MOS管

封装:

TSMT-8

描述:

晶体管, MOSFET, P沟道, -5 A, -30 V, 0.022 ohm, -10 V, -2.5 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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RQ1E050RPTR 数据手册 (13 页)

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RQ1E050RPTR 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

封装

TSMT-8

针脚数

8 Position

漏源极电阻

0.022 Ω

极性

P-Channel

功耗

1.5 W

漏源极电压(Vds)

30 V

上升时间

15 ns

输入电容值(Ciss)

1300pF @10V(Vds)

额定功率(Max)

1.5 W

下降时间

50 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

700mW (Ta)

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RQ1E050RPTR 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Discontinued at Digi-Key

包装方式

Tape & Reel (TR)

工作温度

150℃ (TJ)

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RQ1E050RPTR 符合标准

RQ1E050RPTR 概述

RQ1E050RPTR 数据手册

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

13 页 / 2.36 MByte

RQ1E050RPTR 其他数据使用手册

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

12 页 / 2.36 MByte

RQ1E050 数据手册

RQ1E050RPTR 数据手册

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

晶体管, MOSFET, P沟道, -5 A, -30 V, 0.022 ohm, -10 V, -2.5 V

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