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STW60NM50N 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

MOS管

封装:

TO-247-3

描述:

晶体管, MOSFET, N沟道, 68 A, 500 V, 0.035 ohm, 10 V, 3 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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STW60NM50N 数据手册 (12 页)

封装尺寸在9 页 10 页

STW60NM50N 数据手册 (12 页)

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STW60NM50N 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-247-3

通道数

1 Channel

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.035 Ω

极性

N-CH

功耗

446 W

阈值电压

4 V

漏源极电压(Vds)

500 V

连续漏极电流(Ids)

68A

上升时间

36 ns

输入电容值(Ciss)

5790pF @100V(Vds)

下降时间

27.5 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

446W (Tc)

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STW60NM50N 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

工作温度

150℃ (TJ)

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STW60NM50N 符合标准

STW60NM50N 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

12 页 / 0.26 MByte

STW60NM50N 其他数据使用手册

ST Microelectronics（意法半导体）

14 页 / 0.71 MByte

STW60NM50N 产品封装文件

ST Microelectronics（意法半导体）

13 页 / 0.73 MByte

STW60NM50N 产品修订记录

ST Microelectronics（意法半导体）

30 页 / 0.31 MByte

STW60NM50 数据手册

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晶体管, MOSFET, N沟道, 68 A, 500 V, 0.035 ohm, 10 V, 3 V

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