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RQ3E180GNTB 数据手册 - ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

制造商:

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

分类:

MOS管

封装:

HSMT-8

描述:

晶体管, MOSFET, N沟道, 39 A, 30 V, 0.0033 ohm, 10 V, 2.5 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

RQ3E180GNTB 数据手册 (11 页)

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RQ3E180GNTB 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

封装

HSMT-8

针脚数

8 Position

漏源极电阻

0.0033 Ω

极性

N-Channel

功耗

20 W

阈值电压

2.5 V

漏源极电压(Vds)

30 V

连续漏极电流(Ids)

18A

上升时间

6.9 ns

输入电容值(Ciss)

1520pF @15V(Vds)

下降时间

10.2 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

2W (Ta)

RQ3E180GNTB 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

工作温度

150℃ (TJ)

RQ3E180GNTB 符合标准

RQ3E180GNTB 海关信息

RQ3E180GNTB 数据手册

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