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RQ6E050AJTCR
0.171
RQ6E050AJTCR 数据手册 (14 页)
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RQ6E050AJTCR 技术参数、封装参数

类型
描述
封装
SOT-457-6
针脚数
6 Position
漏源极电阻
0.026 Ω
极性
N-Channel
功耗
1.25 W
阈值电压
1.5 V
漏源极电压(Vds)
30 V
工作温度(Max)
150 ℃

RQ6E050AJTCR 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active

RQ6E050AJTCR 数据手册

ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
14 页 / 2.57 MByte

RQ6E050 数据手册

ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
ROHM   RQ6E050ATTCR  晶体管, MOSFET, P沟道, -5 A, -30 V, 0.021 ohm, -10 V, -2.5 V
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
晶体管, MOSFET, N沟道, 5 A, 30 V, 0.026 ohm, 4.5 V, 1.5 V
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