Web Analytics
Datasheet 搜索 > MOS管 > NXP(恩智浦) > SI9936DY,518 Datasheet 文档
SI9936DY,518
器件3D模型
0
SI9936DY,518 数据手册 (13 页)
查看文档
或点击图片查看大图

SI9936DY,518 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
封装
SOIC-8
漏源极电压(Vds)
30 V
上升时间
9 ns
额定功率(Max)
900 mW
下降时间
10 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
2000 mW

SI9936DY,518 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Obsolete
包装方式
Tape & Reel (TR)
工作温度
150℃ (TJ)

SI9936DY,518 数据手册

NXP(恩智浦)
13 页 / 0.25 MByte

SI9936 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
双N沟道增强型MOSFET Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET
VISHAY(威世)
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY(威世)
NXP(恩智浦)
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY  SI9936BDY-T1-GE3  场效应管阵列, MOSFET, 双N沟道
VISHAY(威世)
双N通道30 -V (D -S )的MOSFET Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET
VISHAY(威世)
器件 Datasheet 文档搜索
器件加载中...
AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册,每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

BOM选型工具
智能匹配型号
推荐替代方案
预警生产风险
计算采购成本
上传BOM文件
文件格式:*.xlsx,*.xls,*csv
Gerber文件查看器
15秒快速建模
预览PCB成品
支持40种板层
预检生产问题
上传Gerber文件
支持标准RS-274X文件,接受zip、rar、7z