￥ 0.565

RRQ045P03TR 数据手册 - ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

制造商:

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

分类:

MOS管

封装:

TSOT-23-6

描述:

P-沟道 30 V 35 mOhm 1.25 W 表面贴装 Mosfet - T表面贴装-6

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

RRQ045P03TR 数据手册 (12 页)

查看文档

或点击图片查看大图

RRQ045P03TR 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

6 Pin

封装

TSOT-23-6

极性

P-CH

功耗

1.25 W

漏源极电压(Vds)

30 V

连续漏极电流(Ids)

4.5A

上升时间

35 ns

输入电容值(Ciss)

1350pF @10V(Vds)

额定功率(Max)

1.25 W

下降时间

65 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

600mW (Ta)

查看数据手册 >

RRQ045P03TR 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

材质

Silicon

工作温度

150℃ (TJ)

查看数据手册 >

RRQ045P03TR 符合标准

RRQ045P03TR 概述

RRQ045P03TR 数据手册

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

12 页 / 1.32 MByte

RRQ045P03TR 其他数据使用手册

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

12 页 / 0.63 MByte

RRQ045P03 数据手册

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

RRQ045P03 P沟道MOS场效应管 -30V -4.5A 53毫欧 SOT-153 marking/标记 UB 低导通电阻高功率封装高速开关

RRQ045P03TR 数据手册

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

P-沟道 30 V 35 mOhm 1.25 W 表面贴装 Mosfet - T表面贴装-6

RRQ045P03FRATR 数据手册

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

晶体管, MOSFET, P沟道, -4.5 A, -30 V, 0.025 ohm, -10 V, -2.5 V

器件 Datasheet 文档搜索

AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

热门型号