器件3D模型

￥ 0.09

NUS5530MNR2G 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

分类:

双极性晶体管

封装:

DFN-8

描述:

双极 PNP 和 MOSFET 晶体管，ON Semiconductor将低饱和 PNP 双极晶体管和 P 通道 MOSFET 组合在紧凑型集成 SMT 封装中### 双极性晶体管，On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：小信号晶体管功率晶体管双晶体管复合晶体管对高电压晶体管射频晶体管双极/FET 晶体管

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NUS5530MNR2G 数据手册 (9 页)

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NUS5530MNR2G 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

封装

DFN-8

无卤素状态

Halogen Free

漏源极电阻

200 Ω

极性

P-Channel

功耗

635 mW

漏源击穿电压

20 V

连续漏极电流(Ids)

-2.00 A

最小电流放大倍数

100

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

2.5 W

额定电压

35 V

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NUS5530MNR2G 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

3.3 mm

宽度

3.3 mm

高度

0.95 mm

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NUS5530MNR2G 符合标准

NUS5530MNR2G 海关信息

NUS5530MNR2G 概述