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RSD050N10 数据手册 - ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

制造商:

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

封装:

TO-252

描述:

4V驱动N沟道MOSFET 4V Drive Nch MOSFET

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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RSD050N10 数据手册 (7 页)

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RSD050N10 技术参数、封装参数

类型

描述

封装

TO-252

漏源极电阻

0.145 Ω

极性

漏源极电压(Vds)

100 V

连续漏极电流(Ids)

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RSD050N10 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

最小包装数量

2500

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RSD050N10 数据手册

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

7 页 / 0.49 MByte

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