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RSD080N06TL 数据手册 - ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

制造商:

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

分类:

MOS管

封装:

TO-252-3

描述:

晶体管, MOSFET, N沟道, 8 A, 60 V, 0.057 ohm, 10 V, 2.5 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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RSD080N06TL 数据手册 (8 页)

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RSD080N06TL 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

TO-252-3

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.057 Ω

极性

N-Channel

功耗

15 W

阈值电压

2.5 V

漏源极电压(Vds)

60 V

上升时间

13 ns

输入电容值(Ciss)

380pF @10V(Vds)

下降时间

10 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

15W (Tc)

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RSD080N06TL 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

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包装方式

Tape & Reel (TR)

材质

Silicon

工作温度

150℃ (TJ)

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RSD080N06TL 符合标准

RSD080N06TL 数据手册

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

8 页 / 0.55 MByte

RSD080N06TL 其他数据使用手册

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

7 页 / 0.51 MByte

RSD080N06 数据手册

RSD080N06TL 数据手册

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晶体管, MOSFET, N沟道, 8 A, 60 V, 0.057 ohm, 10 V, 2.5 V

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