RTF025N03TL

￥ 0.316

RTF025N03TL 数据手册 - ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

制造商:

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

分类:

MOS管

封装:

SOT-323-3

描述:

N-沟道 0.8 W 30 V 98 mOhm 表面贴装 2.5 V 驱动 MosFet - TUMT-3

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

RTF025N03TL 数据手册 (3 页)

RTF025N03TL 数据手册 (3 页)

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RTF025N03TL 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

30.0 V

额定电流

2.50 A

封装

SOT-323-3

通道数

1 Channel

针脚数

3 Position

漏源极电阻

48 mΩ

极性

N-Channel

功耗

800 mW

阈值电压

1.5 V

漏源极电压(Vds)

30 V

漏源击穿电压

30 V

连续漏极电流(Ids)

2.50 A

上升时间

15 ns

输入电容值(Ciss)

270pF @10V(Vds)

额定功率(Max)

800 mW

下降时间

11 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

55 ℃

耗散功率(Max)

800mW (Ta)

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RTF025N03TL 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

材质

Silicon

长度

2 mm

宽度

1.7 mm

高度

0.77 mm

工作温度

150℃ (TJ)

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RTF025N03TL 符合标准

RTF025N03TL 概述

RTF025N03TL 数据手册

RTF025N03TL 数据手册

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

3 页 / 0.93 MByte

RTF025N03TL 其他数据使用手册

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

5 页 / 0.26 MByte

RTF025N03TL 其他参考文件

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

1 页 / 0.14 MByte

RTF025N03 数据手册

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