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RSD100N10TL 数据手册 - ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

制造商:

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

分类:

MOS管

封装:

TO-252-3

描述:

晶体管, MOSFET, N沟道, 10 A, 100 V, 0.095 ohm, 10 V, 2.5 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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RSD100N10TL 数据手册 (7 页)

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RSD100N10TL 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

TO-252-3

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.095 Ω

极性

N-Channel

功耗

20 W

阈值电压

2.5 V

漏源极电压(Vds)

100 V

上升时间

17 ns

输入电容值(Ciss)

700pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

20 W

下降时间

20 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

20W (Tc)

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RSD100N10TL 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Discontinued at Digi-Key

包装方式

Tape & Reel (TR)

材质

Silicon

工作温度

150℃ (TJ)

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RSD100N10TL 符合标准

RSD100N10TL 数据手册

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

7 页 / 0.56 MByte

RSD100N10TL 其他数据使用手册

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

3 页 / 0.09 MByte

RSD100N10TL 产品封装文件

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

3 页 / 0.07 MByte

RSD100N10TL 产品手册

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

38 页 / 10.45 MByte

RSD100N10 数据手册

RSD100N10TL 数据手册

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晶体管, MOSFET, N沟道, 10 A, 100 V, 0.095 ohm, 10 V, 2.5 V

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