IXTH6N150

￥ 7.548

IXTH6N150 数据手册 - IXYS Semiconductor

制造商:

IXYS Semiconductor

分类:

MOS管

封装:

TO-247-3

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

IXTH6N150 数据手册 (6 页)

IXTH6N150 数据手册 (6 页)

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IXTH6N150 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

封装

TO-247-3

极性

N-CH

功耗

540W (Tc)

阈值电压

5 V

漏源极电压(Vds)

1500 V

连续漏极电流(Ids)

6A

输入电容值(Ciss)

2230pF @25V(Vds)

耗散功率(Max)

540W (Tc)

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IXTH6N150 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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IXTH6N150 符合标准

IXTH6N150 数据手册

IXTH6N150 数据手册

IXYS Semiconductor

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