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RSR025N03TL
0.086
RSR025N03TL 数据手册 (14 页)
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RSR025N03TL 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
30.0 V
额定电流
2.50 A
封装
SOT-23-3
针脚数
3 Position
漏源极电阻
0.07 Ω
极性
N-Channel
功耗
1 W
阈值电压
2.5 V
漏源极电压(Vds)
30 V
漏源击穿电压
30.0 V
连续漏极电流(Ids)
2.50 A
上升时间
10 ns
输入电容值(Ciss)
165pF @10V(Vds)
额定功率(Max)
1 W
下降时间
5 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
1W (Ta)

RSR025N03TL 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
材质
Silicon
高度
0.95 mm
工作温度
150℃ (TJ)

RSR025N03TL 数据手册

ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
14 页 / 1.86 MByte
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
14 页 / 2.67 MByte
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
1 页 / 0.14 MByte

RSR025N03 数据手册

ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
RSR025N03 N沟道MOSFET 30V 2.5A SOT-23/SC-59 marking/标记 QY 计算负载/功率开关/DC-DC转换
TY Semiconductor
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
ROHM  RSR025N03TL  晶体管, MOSFET, N沟道, 2.5 A, 30 V, 70 mohm, 10 V, 2.5 V
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
ROHM  RSR025N03FRATL  晶体管, MOSFET, N沟道, 2.5 A, 30 V, 0.05 ohm, 10 V, 2.5 V 新
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
4V驱动N沟道MOS FET 4V Drive Nch MOS FET
TY Semiconductor
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