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RTF020P02TL
0.001
RTF020P02TL 数据手册 (6 页)
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RTF020P02TL 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
-20.0 V
额定电流
-2.00 A
封装
SMD-3
漏源极电阻
120 mΩ
极性
P-Channel
功耗
800mW (Ta)
漏源极电压(Vds)
20 V
连续漏极电流(Ids)
2.00 A
上升时间
15 ns
输入电容值(Ciss)
640pF @10V(Vds)
额定功率(Max)
800 mW
下降时间
12 ns
耗散功率(Max)
800mW (Ta)

RTF020P02TL 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
工作温度
150℃ (TJ)

RTF020P02TL 数据手册

ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
6 页 / 0.08 MByte
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
5 页 / 0.09 MByte
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
1 页 / 0.14 MByte

RTF020P02 数据手册

ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
RTF020P02 P沟道MOS场效应管 -20V 2A 0.06ohm SOT-323 marking/标记 WM 低导通电阻 超高速开关 低驱动电压
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
2.5V驱动P沟道MOSFET 2.5V Drive Pch MOSFET
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