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RTU002P02T106 数据手册 - ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

制造商:

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

分类:

MOS管

封装:

SOT-323-3

描述:

20V,0.25A,P沟道MOSFET

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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RTU002P02T106 数据手册 (8 页)

封装尺寸在8 页

RTU002P02T106 数据手册 (8 页)

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RTU002P02T106 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

-20.0 V

额定电流

-200 mA

封装

SOT-323-3

漏源极电阻

1 Ω

极性

P-Channel

功耗

200 mW

漏源极电压(Vds)

20 V

连续漏极电流(Ids)

250 mA

上升时间

6 ns

输入电容值(Ciss)

50pF @10V(Vds)

额定功率(Max)

200 mW

下降时间

45 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

200mW (Ta)

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RTU002P02T106 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Not Recommended for New Designs

包装方式

Tape & Reel (TR)

材质

Silicon

长度

2.9 mm

宽度

1.6 mm

高度

0.85 mm

工作温度

150℃ (TJ)

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RTU002P02T106 符合标准

RTU002P02T106 海关信息

RTU002P02T106 概述

RTU002P02T106 数据手册

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

8 页 / 0.11 MByte

RTU002P02T106 其他数据使用手册

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

3 页 / 0.05 MByte

RTU002P02T106 其他参考文件

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

1 页 / 0.14 MByte

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ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

20V,0.25A,P沟道MOSFET

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