IXTP120P065T

￥ 3.455

IXTP120P065T 数据手册 - IXYS Semiconductor

制造商:

IXYS Semiconductor

分类:

MOS管

封装:

TO-220-3

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

IXTP120P065T 数据手册 (7 页)

封装尺寸在2 页 4 页 6 页

IXTP120P065T 数据手册 (7 页)

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IXTP120P065T 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

封装

TO-220-3

极性

P-CH

功耗

298W (Tc)

漏源极电压(Vds)

65 V

连续漏极电流(Ids)

120A

输入电容值(Ciss)

13200pF @25V(Vds)

耗散功率(Max)

298W (Tc)

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IXTP120P065T 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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IXTP120P065T 符合标准

IXTP120P065T 概述

IXTP120P065T 数据手册

IXTP120P065T 数据手册

IXYS Semiconductor

7 页 / 0.21 MByte

IXTP120P065T 其他数据使用手册

IXYS Semiconductor

6 页 / 0.18 MByte

IXTP120P065 数据手册

IXTP120P065T 数据手册

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IXTP120P065T 数据手册

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