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RUR020N02TL 数据手册 - ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

制造商:

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

分类:

MOS管

封装:

SOT-23-3

描述:

RUR020N02 系列 20 V 2 A 2 nC 表面贴装 N 沟道 Mosfet - TSMT-3

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

RUR020N02TL 数据手册 (1 页)

RUR020N02TL 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

SOT-23-3

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.075 Ω

极性

N-CH

功耗

1 W

阈值电压

1 V

漏源极电压(Vds)

20 V

连续漏极电流(Ids)

上升时间

17 ns

输入电容值(Ciss)

180pF @10V(Vds)

额定功率(Max)

1 W

下降时间

30 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

540mW (Ta)

查看数据手册 >

RUR020N02TL 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

材质

Silicon

长度

3 mm

宽度

1.8 mm

高度

0.95 mm

工作温度

150℃ (TJ)

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RUR020N02TL 符合标准

RUR020N02TL 概述

RUR020N02TL 数据手册

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

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