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ZXMP6A18KTC
0.256
ZXMP6A18KTC 数据手册 (5 页)
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ZXMP6A18KTC 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
-60.0 V
额定电流
-10.4 A
封装
TO-252-3
通道数
1 Channel
漏源极电阻
55 mΩ
极性
P-CH
功耗
10.1 W
阈值电压
1 V
输入电容
1.58 nF
栅电荷
23.0 nC
漏源极电压(Vds)
60 V
漏源击穿电压
60 V
连续漏极电流(Ids)
10.4 A
上升时间
5.8 ns
输入电容值(Ciss)
1580pF @30V(Vds)
额定功率(Max)
2.15 W
下降时间
23 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
55 ℃
耗散功率(Max)
2.15W (Ta)

ZXMP6A18KTC 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
6.73 mm
宽度
6.22 mm
高度
2.39 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

ZXMP6A18KTC 数据手册

Diodes(美台)
5 页 / 0.05 MByte
Diodes(美台)
8 页 / 0.4 MByte
Diodes(美台)
8 页 / 0.56 MByte
Diodes(美台)
1 页 / 0.18 MByte

ZXMP6A18 数据手册

Diodes(美台)
ZXMP6A18KTC 编带
Diodes(美台)
ZXMP6A18DN8 系列 60 V 0.055 Ohm 双通道 P 沟道 增强模式 MOSFET -SOIC-8
Vishay Semiconductor(威世)
DIODES INC.  ZXMP6A18K  晶体管, MOSFET, P沟道, 10.4 A, -60 V, 55 mohm, -10 V, -1 V
Diodes Zetex(捷特科)
P 通道 MOSFET,Diodes Inc.### MOSFET 晶体管,Diodes Inc.
Diodes Zetex(捷特科)
P 沟道 MOSFET,40V 至 90V,Diodes Inc### MOSFET 晶体管,Diodes Inc.
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