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RYC002N05T316 数据手册 - ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

制造商:

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

分类:

MOS管

封装:

SOT-23-3

描述:

晶体管, MOSFET, N沟道, 200 mA, 50 V, 1.6 ohm, 4.5 V, 800 mV

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

RYC002N05T316 数据手册 (14 页)

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RYC002N05T316 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

SOT-23-3

针脚数

3 Position

漏源极电阻

1.6 Ω

极性

N-Channel

功耗

0.2 W

阈值电压

800 mV

漏源极电压(Vds)

50 V

连续漏极电流(Ids)

0.2A

上升时间

8 ns

输入电容值(Ciss)

26pF @10V(Vds)

下降时间

43 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

350mW (Tc)

RYC002N05T316 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

材质

Silicon

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

RYC002N05T316 符合标准

RYC002N05T316 数据手册

RYC002N05T316 其他数据使用手册

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

14 页 / 2.34 MByte

RYC002N05 数据手册

RYC002N05T316 数据手册

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

晶体管, MOSFET, N沟道, 200 mA, 50 V, 1.6 ohm, 4.5 V, 800 mV

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