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RZM002P02
0.065
RZM002P02 数据手册 (5 页)
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RZM002P02 技术参数、封装参数

类型
描述
封装
SOT-723
漏源极电阻
2.4 Ω
极性
P
漏源极电压(Vds)
-20V
连续漏极电流(Ids)
-0.2A

RZM002P02 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
最小包装数量
8000

RZM002P02 数据手册

ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
5 页 / 0.15 MByte

RZM002 数据手册

ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
P 沟道 150 mW 20 V 1.2 Ohm 1.2V 驱动 P 沟道 Mosfet 表面贴装 - VMT-3
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
RZM002P02 P沟道MOS场效应管 -20V 250mA 0.8ohm SOT-723 marking/标记 YK 高速开关 1.2V超低电压驱动
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