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RZM002P02T2L 数据手册 - ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

制造商:

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

分类:

MOS管

封装:

SOT-723-3

描述:

P 沟道 150 mW 20 V 1.2 Ohm 1.2V 驱动 P 沟道 Mosfet 表面贴装 - VMT-3

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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RZM002P02T2L 数据手册 (5 页)

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RZM002P02T2L 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

SOT-723-3

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.8 Ω

功耗

150 mW

阈值电压

1 V

漏源极电压(Vds)

20 V

上升时间

4 ns

输入电容值(Ciss)

115pF @10V(Vds)

额定功率(Max)

150 mW

下降时间

17 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

150 mW

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RZM002P02T2L 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

材质

Silicon

长度

1.3 mm

宽度

0.9 mm

高度

0.45 mm

工作温度

150℃ (TJ)

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RZM002P02T2L 符合标准

RZM002P02T2L 海关信息

RZM002P02T2L 概述

RZM002P02T2L 数据手册

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

5 页 / 0.16 MByte

RZM002P02T2L 其他数据使用手册

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

13 页 / 2.13 MByte

RZM002P02T2 数据手册

RZM002P02T2L 数据手册

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

P 沟道 150 mW 20 V 1.2 Ohm 1.2V 驱动 P 沟道 Mosfet 表面贴装 - VMT-3

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