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S29GL032N90BFI040
器件3D模型
0.069
S29GL032N90BFI040 数据手册 (81 页)
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S29GL032N90BFI040 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
48 Pin
电源电压
2.70V (min)
封装
FBGA-48
供电电流
50 mA
位数
8, 16 Bit
存取时间
90 ns
内存容量
4000000 B
存取时间(Max)
90 ns
工作温度(Max)
85 ℃
工作温度(Min)
-40 ℃
电源电压
3V, 3.3V
电源电压(Max)
3.6 V
电源电压(Min)
2.7 V

S29GL032N90BFI040 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Unknown
包装方式
Tray
长度
8.15 mm
宽度
6.15 mm
高度
0.76 mm
工作温度
-40℃ ~ 85℃ (TA)

S29GL032N90BFI040 数据手册

Cypress Semiconductor(赛普拉斯)
81 页 / 0.77 MByte
Cypress Semiconductor(赛普拉斯)
79 页 / 1.82 MByte

S29GL032N90 数据手册

Spansion(飞索半导体)
SPANSION  S29GL032N90TFI040  闪存, 32 Mbit, 4M x 8位 / 2M x 16位, CFI, TSOP, 48 引脚
Cypress Semiconductor(赛普拉斯)
GL-N 系列 32 M (4 M x 8/2 M x 16) 3.6 V 页面模式 闪存 - TSOP-8
Cypress Semiconductor(赛普拉斯)
GL-N 系列 32 M (4 M x 8/2 M x 16) 3.6 V 页面模式 闪存 - TSOP-8
Cypress Semiconductor(赛普拉斯)
S29GL03N 系列 32 Mb (4M x 8, 2M x 16) 3 V 90 ns 闪存-NOR 存储器 - BGA-48
Cypress Semiconductor(赛普拉斯)
GL-N 系列 32 M (4M x 8, 2M x 16) 3.6 V 表面贴装 闪存 - TSOP-56
Spansion(飞索半导体)
SPANSION  S29GL032N90BFI040  芯片, 闪存存储器, 32MB, 90NS, 48-BGA
Cypress Semiconductor(赛普拉斯)
闪存, MirrorBit架构, 并行NOR, 32 Mbit, 4M x 8位, CFI, 并行, FBGA, 64 引脚
Spansion(飞索半导体)
SPANSION  S29GL032N90TFI030.  芯片, 闪存, MIRRORBIT
Cypress Semiconductor(赛普拉斯)
闪存, 并行NOR, 32 Mbit, 4M x 8位, 并行, BGA, 64 引脚
Cypress Semiconductor(赛普拉斯)
闪存, MirrorBit架构, 并行NOR, 32 Mbit, 4M x 8位, CFI, 并行, TSOP, 56 引脚
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