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SBC857BDW1T1G
器件3D模型
0.026
SBC857BDW1T1G 数据手册 (7 页)
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SBC857BDW1T1G 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
频率
100 MHz
引脚数
6 Pin
封装
SC-70-3
极性
PNP
功耗
0.38 W
击穿电压(集电极-发射极)
45 V
集电极最大允许电流
0.1A
最小电流放大倍数
220 @2mA, 5V
额定功率(Max)
380 mW
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
380 mW

SBC857BDW1T1G 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

SBC857BDW1T1G 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
7 页 / 0.11 MByte
ON Semiconductor(安森美)
9 页 / 0.15 MByte
ON Semiconductor(安森美)
7 页 / 0.18 MByte
ON Semiconductor(安森美)
7 页 / 0.04 MByte

SBC857BDW1T1 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
双路通用晶体管 Dual General Purpose Transistors
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