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SCT2120AFC 数据手册 - ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

制造商:

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

分类:

MOS管

封装:

TO-220-3

描述:

ROHM SCT2120AFC 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 29 A, 650 V, 0.12 ohm, 18 V, 4 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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SCT2120AFC 数据手册 (1 页)

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SCT2120AFC 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-220-3

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.12 Ω

极性

N-Channel

功耗

165 W

阈值电压

4 V

漏源极电压(Vds)

650 V

上升时间

31 ns

输入电容值(Ciss)

1200pF @500V(Vds)

下降时间

19 ns

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

165W (Tc)

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SCT2120AFC 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

长度

10.26 mm

宽度

8.63 mm

高度

4.45 mm

工作温度

175℃ (TJ)

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SCT2120AFC 符合标准

SCT2120AFC 海关信息

SCT2120AFC 数据手册

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

1 页 / 0.09 MByte

SCT2120AFC 其他数据使用手册

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

15 页 / 1.09 MByte

SCT2120AFC 开发手册

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

41 页 / 0.88 MByte

SCT2120 数据手册

SCT2120AFC 数据手册

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