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SCT2H12NZ 数据手册 - ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

制造商:

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

封装:

TO-3

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

SCT2H12NZ 数据手册

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SCT2H12NZ 技术参数、封装参数

类型

描述

引脚数

3 Pin

封装

TO-3

极性

N-CH

漏源极电压(Vds)

1700 V

连续漏极电流(Ids)

3.7A

上升时间

21 ns

输入电容值(Ciss)

184pF @800V(Vds)

下降时间

74 ns

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

35000 mW

SCT2H12NZ 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

SCT2H12NZ 符合标准

SCT2H12 数据手册

SCT2H12NZGC11 数据手册

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

ROHM SCT2H12NZGC11 功率场效应管, MOSFET, 碳化硅 (SiC), N沟道, 3.7 A, 1.7 kV, 1.15 ohm, 18 V, 2.8 V

SCT2H12NYTB 数据手册

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

碳化硅功率MOSFET, N沟道, 4 A, 1.7 kV, 1.15欧姆, 18V, 2.8 V

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