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SCT2H12NZ
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SCT2H12NZ 数据手册
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SCT2H12NZ 技术参数、封装参数

类型
描述
引脚数
3 Pin
封装
TO-3
极性
N-CH
漏源极电压(Vds)
1700 V
连续漏极电流(Ids)
3.7A
上升时间
21 ns
输入电容值(Ciss)
184pF @800V(Vds)
下降时间
74 ns
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
35000 mW

SCT2H12NZ 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube

SCT2H12 数据手册

ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
ROHM  SCT2H12NZGC11  功率场效应管, MOSFET, 碳化硅 (SiC), N沟道, 3.7 A, 1.7 kV, 1.15 ohm, 18 V, 2.8 V
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
碳化硅功率MOSFET, N沟道, 4 A, 1.7 kV, 1.15欧姆, 18V, 2.8 V
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