￥ 9.334

SCT3080KLGC11 数据手册 - ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

制造商:

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

分类:

MOS管

封装:

TO-247-3

描述:

SCT3080KL 系列 1200 V 31 A 104 mOhm N-沟道 SiC 功率 Mosfet - TO-247N

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

SCT3080KLGC11 数据手册 (15 页)

查看文档

或点击图片查看大图

SCT3080KLGC11 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-247-3

通道数

1 Channel

针脚数

3 Position

漏源极电阻

80 mΩ

功耗

165 W

阈值电压

5.6 V

漏源极电压(Vds)

1200 V

漏源击穿电压

1200 V

上升时间

22 ns

输入电容值(Ciss)

785pF @800V(Vds)

下降时间

24 ns

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

55 ℃

耗散功率(Max)

165W (Tc)

查看数据手册 >

SCT3080KLGC11 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

工作温度

175℃ (TJ)

查看数据手册 >

SCT3080KLGC11 符合标准

SCT3080KLGC11 海关信息

SCT3080KLGC11 概述

SCT3080KLGC11 数据手册

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

15 页 / 1.06 MByte

SCT3080KLGC11 其他数据使用手册

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

15 页 / 1.06 MByte

SCT3080KLGC11 开发手册

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

41 页 / 0.88 MByte

SCT3080KLGC11 产品描述及参数

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

3 页 / 0.26 MByte

SCT3080 数据手册

SCT3080KLGC11 数据手册

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

SCT3080KL 系列 1200 V 31 A 104 mOhm N-沟道 SiC 功率 Mosfet - TO-247N

SCT3080ALGC11 数据手册

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

碳化硅功率MOSFET, N沟道, 30 A, 650 V, 0.08欧姆, 18V, 5.6 V

SCT3080KRC14 数据手册

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

晶体管, MOSFET, SiC, N沟道, 31 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, 18 V, 5.6 V

SCT3080ARC14 数据手册

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

晶体管, MOSFET, SiC, N沟道, 30 A, 650 V, 0.08 ohm, 18 V, 5.6 V

SCT3080KL 数据手册

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

SCT3080AL 数据手册

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

器件 Datasheet 文档搜索

AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

热门型号