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SCT3120ALGC11 数据手册 - ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

制造商:

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

分类:

MOS管

封装:

TO-247-3

描述:

SCT3120AL 系列 650 V 21 A 156 mOhm N-沟道 SiC 功率 Mosfet - TO-247N

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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SCT3120ALGC11 数据手册 (15 页)

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SCT3120ALGC11 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-247-3

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.12 Ω

功耗

103 W

阈值电压

5.6 V

漏源极电压(Vds)

650 V

上升时间

21 ns

输入电容值(Ciss)

460pF @500V(Vds)

下降时间

14 ns

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

103W (Tc)

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SCT3120ALGC11 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

工作温度

175℃ (TJ)

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SCT3120ALGC11 符合标准

SCT3120ALGC11 海关信息

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15 页 / 1 MByte

SCT3120ALGC11 开发手册

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

41 页 / 0.88 MByte

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