￥ 15.359

SD2918 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

MOS管

封装:

M-113

描述:

射频功率晶体管HF / VHF / UHF N沟道MOSFET RF POWER TRANSISTORS HF/VHF/UHF N-CHANNEL MOSFETs

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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SD2918 数据手册 (14 页)

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SD2918 数据手册 (14 页)

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SD2918 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Screw

频率

30 MHz

引脚数

4 Pin

额定电压(DC)

125 V

额定电流

6 A

封装

M-113

极性

N-Channel

功耗

175 W

输入电容

58 pF

漏源极电压(Vds)

5 V

漏源击穿电压

125 V

栅源击穿电压

±20.0 V

连续漏极电流(Ids)

6.00 A

输出功率

30 W

增益

22 dB

测试电流

100 mA

输入电容值(Ciss)

58pF @50V(Vds)

工作温度(Max)

200 ℃

工作温度(Min)

-65 ℃

耗散功率(Max)

175000 mW

额定电压

125 V

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SD2918 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

长度

24.89 mm

工作温度

-65℃ ~ 200℃

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SD2918 符合标准

SD2918 海关信息

SD2918 概述

SD2918 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

14 页 / 0.39 MByte

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