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SI1000-C-GM
9.894

SI1000-C-GM 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
频率
240MHz ~ 960MHz
引脚数
42 Pin
封装
QFN-42
RAM大小
4.25 KB
输出功率
20 dBm
ADC数量
1 ADC
工作温度(Max)
85 ℃
工作温度(Min)
-40 ℃
电源电压
1.8V ~ 3.6V
电源电压(Max)
3.6 V
电源电压(Min)
1.8 V

SI1000-C-GM 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Obsolete
包装方式
Tube
长度
5 mm
宽度
7 mm
高度
0.7 mm
工作温度
-40℃ ~ 85℃

SI1000-C-GM 数据手册

Silicon Labs(芯科)
383 页 / 2.45 MByte
Silicon Labs(芯科)
388 页 / 2.52 MByte

SI1000 数据手册

Silicon Labs(芯科)
射频微控制器 - MCU 64kB, 4kB RAM, +20 dBm, programmable XCVR
Silicon Labs(芯科)
Silicon Labs(芯科)
Silicon Labs(芯科)
Silicon Labs(芯科)
Silicon Labs(芯科)
Si1000 Wireless Microcontrollers### 单芯片组件,Silicon Laboratories
NTE Electronics
Silicon Labs(芯科)
Silicon Labs(芯科)
射频微控制器 - MCU 64kB, 4kB RAM, +20 dBm, programmable XCVR, QFN42
NTE Electronics
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