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SI1031R-T1-GE3 数据手册 - Vishay Semiconductor（威世）

制造商:

Vishay Semiconductor（威世）

分类:

MOS管

封装:

SC-75

描述:

VISHAY SI1031R-T1-GE3. 晶体管, MOSFET, P沟道, 140 mA, -20 V, 20 ohm, -4.5 V, -1.2 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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SI1031R-T1-GE3 数据手册 (7 页)

封装尺寸在5 页

SI1031R-T1-GE3 数据手册 (7 页)

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SI1031R-T1-GE3 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

SC-75

针脚数

3 Position

漏源极电阻

8 Ω

极性

P-Channel

功耗

250 mW

阈值电压

900 mV

漏源极电压(Vds)

20 V

连续漏极电流(Ids)

140 mA

上升时间

30 ns

下降时间

30 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

0.25 W

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SI1031R-T1-GE3 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Unknown

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

1.68 mm

宽度

0.86 mm

高度

0.8 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃

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SI1031R-T1-GE3 符合标准

SI1031R-T1-GE3 海关信息

SI1031R-T1-GE3 数据手册

Vishay Semiconductor（威世）

7 页 / 0.12 MByte

SI1031R-T1-GE3 其他数据使用手册

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