器件3D模型

￥ 0.41

SI9936DY 数据手册 - Fairchild（飞兆/仙童）

制造商:

Fairchild（飞兆/仙童）

分类:

MOS管

封装:

SOIC-8

描述:

双N沟道增强型MOSFET Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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SI9936DY 数据手册 (3 页)

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SI9936DY 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

封装

SOIC-8

漏源极电阻

44.0 mΩ

极性

N-Channel

功耗

2.00 W

漏源极电压(Vds)

30 V

漏源击穿电压

30.0 V

栅源击穿电压

±20.0 V

连续漏极电流(Ids)

5.00 A

输入电容值(Ciss)

525pF @15V(Vds)

额定功率(Max)

900 mW

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SI9936DY 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Obsolete

包装方式

Tape & Reel (TR)

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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SI9936DY 符合标准

SI9936DY 海关信息

SI9936DY 数据手册

Fairchild（飞兆/仙童）

3 页 / 0.23 MByte

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