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SI1032R-T1-E3. 数据手册 - Vishay Siliconix

制造商:

Vishay Siliconix

分类:

MOS管

Pictures:

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SI1032R-T1-E3. 数据手册 (9 页)

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SI1032R-T1-E3. 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

漏源极电阻

5.00 Ω

极性

N-Channel

功耗

280 mW

漏源极电压(Vds)

20.0 V

漏源击穿电压

20.0 V

栅源击穿电压

±6.00 V

连续漏极电流(Ids)

200 mA

SI1032R-T1-E3. 符合标准

SI1032R-T1-E3. 数据手册

SI1032R-T1-E3. 其他数据使用手册

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9 页 / 0.19 MByte

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