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SI2301BDS-T1-GE3 数据手册 - Vishay Semiconductor（威世）

制造商:

Vishay Semiconductor（威世）

分类:

MOS管

封装:

SOT-23

描述:

P沟道2.5 V （G -S ）的MOSFET P-Channel 2.5 V (G-S) MOSFET

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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SI2301BDS-T1-GE3 数据手册 (9 页)

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SI2301BDS-T1-GE3 技术参数、封装参数

类型

描述

引脚数

3 Pin

封装

SOT-23

漏源极电阻

0.08 Ω

极性

P-Channel

功耗

700 mW

漏源极电压(Vds)

-20.0 V

连续漏极电流(Ids)

-2.20 A

上升时间

40 ns

下降时间

20 ns

工作温度(Max)

150 ℃

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SI2301BDS-T1-GE3 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

工作温度

-55℃ ~ 150℃

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SI2301BDS-T1-GE3 符合标准

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