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SI2301BDS-T1-GE3 数据手册 - VISHAY（威世）

制造商:

VISHAY（威世）

分类:

MOS管

封装:

SOT-23-3

描述:

P沟道2.5 V （G -S ）的MOSFET P-Channel 2.5 V (G-S) MOSFET

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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SI2301BDS-T1-GE3 数据手册 (8 页)

封装尺寸在6 页

SI2301BDS-T1-GE3 数据手册 (8 页)

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SI2301BDS-T1-GE3 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

SOT-23-3

漏源极电阻

80 mΩ

极性

P-CH

功耗

0.9 W

漏源极电压(Vds)

20 V

连续漏极电流(Ids)

2.2A

上升时间

40 ns

输入电容值(Ciss)

375pF @6V(Vds)

额定功率(Max)

700 mW

下降时间

20 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

900 mW

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SI2301BDS-T1-GE3 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

包装方式

Tape & Reel (TR)

材质

Silicon

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

最小包装数量

3000

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SI2301BDS-T1-GE3 符合标准

SI2301BDS-T1-GE3 数据手册

VISHAY（威世）

8 页 / 0.17 MByte

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