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SI2302ADS-T1-E3 数据手册 - VISHAY（威世）

制造商:

VISHAY（威世）

封装:

SOT-23

描述:

N沟道2.5 -V （G -S ）的MOSFET N-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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SI2302ADS-T1-E3 数据手册 (5 页)

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SI2302ADS-T1-E3 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

封装

SOT-23

极性

N-CH

漏源极电压(Vds)

20 V

连续漏极电流(Ids)

2.1A

输入电容值(Ciss)

300pF @10V(Vds)

额定功率(Max)

700 mW

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SI2302ADS-T1-E3 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

包装方式

Tape & Reel (TR)

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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SI2302ADS-T1-E3 符合标准

SI2302ADS-T1-E3 概述

SI2302ADS-T1-E3 数据手册

VISHAY（威世）

5 页 / 0.1 MByte

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