￥ 0.177

SI2302CDS-T1-GE3 数据手册 - Vishay Semiconductor（威世）

制造商:

Vishay Semiconductor（威世）

分类:

MOS管

封装:

TO-236

描述:

VISHAY SI2302CDS-T1-GE3 晶体管, MOSFET, N沟道, 2.9 A, 20 V, 0.045 ohm, 8 V, 850 mV

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

SI2302CDS-T1-GE3 数据手册 (8 页)

封装尺寸在5 页 6 页

SI2302CDS-T1-GE3 数据手册 (8 页)

查看文档

或点击图片查看大图

SI2302CDS-T1-GE3 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

TO-236

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.045 Ω

极性

N-Channel

功耗

710 mW

阈值电压

850 mV

漏源极电压(Vds)

20 V

连续漏极电流(Ids)

2.90 A

上升时间

7 ns

下降时间

7 ns

工作温度(Max)

150 ℃

查看数据手册 >

SI2302CDS-T1-GE3 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

包装方式

Tape & Reel (TR)

工作温度

-55℃ ~ 150℃

查看数据手册 >

SI2302CDS-T1-GE3 符合标准

SI2302CDS-T1-GE3 海关信息

SI2302CDS-T1-GE3 数据手册

Vishay Semiconductor（威世）

8 页 / 0.2 MByte

SI2302CDS-T1-GE3 其他数据使用手册

Vishay Semiconductor（威世）

8 页 / 0.2 MByte

SI2302CDS-T1-GE3 产品修订记录

Vishay Semiconductor（威世）

2 页 / 0.09 MByte

SI2302CDS-T1-GE3 产品手册

Vishay Semiconductor（威世）

5 页 / 0.11 MByte

SI2302CDST1 数据手册

SI2302CDS-T1-GE3 数据手册

VISHAY（威世）

N通道20 -V （D -S ）的MOSFET N-Channel 20-V (D-S) MOSFET

SI2302CDS-T1-E3 数据手册

VISHAY（威世）

N通道20 -V （D -S ）的MOSFET N-Channel 20-V (D-S) MOSFET

SI2302CDS-T1-GE3 数据手册

Vishay Semiconductor（威世）

VISHAY SI2302CDS-T1-GE3 晶体管, MOSFET, N沟道, 2.9 A, 20 V, 0.045 ohm, 8 V, 850 mV

SI2302CDS-T1-GE3 数据手册

Vishay Siliconix

SI2302CDS-T1-E3 数据手册

Vishay Siliconix

SI2302CDS-T1-E3 数据手册

Vishay Semiconductor（威世）

VISHAY SI2302CDS-T1-E3 晶体管, MOSFET, N沟道, 2.6 A, 20 V, 0.045 ohm, 4.5 V, 400 mV

SI2302CDS-T1-E3 数据手册

Vishay Intertechnology

SI2302CDS-T1-GE3 数据手册

Vishay Intertechnology

器件 Datasheet 文档搜索

AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

热门型号