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SI2302ADS-T1-GE3
0.039
SI2302ADS-T1-GE3 数据手册 (5 页)
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SI2302ADS-T1-GE3 技术参数、封装参数

类型
描述
引脚数
3 Pin
封装
SOT-23-3
功耗
0.7 W
耗散功率(Max)
700mW (Ta)

SI2302ADS-T1-GE3 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
包装方式
Tape & Reel (TR)

SI2302ADS-T1-GE3 数据手册

VISHAY(威世)
5 页 / 0.1 MByte
VISHAY(威世)
8 页 / 0.19 MByte

SI2302ADST1 数据手册

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VISHAY(威世)
N沟道1.25 W, 2.5 V MOSFET N-Channel 1.25-W, 2.5-V MOSFET
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N沟道1.25 W, 2.5 V MOSFET N-Channel 1.25-W, 2.5-V MOSFET
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VISHAY(威世)
N沟道2.5 -V (G -S )的MOSFET N-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET
VISHAY(威世)
Vishay Semiconductor(威世)
N沟道2.5 -V (G -S )的MOSFET N-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY  SI2302ADS-T1-GE3  场效应管, MOSFET, N沟道, 2.1A, 20V, 700mW
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