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SI2302CDS-T1-GE3
0.192
SI2302CDS-T1-GE3 数据手册 (8 页)
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SI2302CDS-T1-GE3 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
封装
SOT-23-3
漏源极电阻
57 mΩ
功耗
710 mW
阈值电压
850 mV
漏源极电压(Vds)
20 V
上升时间
7 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
工作结温(Max)
150 ℃
耗散功率(Max)
710mW (Ta)

SI2302CDS-T1-GE3 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Cut Tape (CT)
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

SI2302CDS-T1-GE3 数据手册

Vishay Siliconix
8 页 / 0.2 MByte
Vishay Siliconix
8 页 / 0.2 MByte

SI2302CDST1 数据手册

VISHAY(威世)
N通道20 -V (D -S )的MOSFET N-Channel 20-V (D-S) MOSFET
VISHAY(威世)
N通道20 -V (D -S )的MOSFET N-Channel 20-V (D-S) MOSFET
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY  SI2302CDS-T1-GE3  晶体管, MOSFET, N沟道, 2.9 A, 20 V, 0.045 ohm, 8 V, 850 mV
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY  SI2302CDS-T1-E3  晶体管, MOSFET, N沟道, 2.6 A, 20 V, 0.045 ohm, 4.5 V, 400 mV
Vishay Intertechnology
Vishay Intertechnology
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