￥ 0.12

SI2302DDS-T1-GE3 数据手册 - VISHAY（威世）

制造商:

VISHAY（威世）

分类:

MOS管

封装:

SOT-23-3

描述:

20V,2.6A,0.075Ω,N沟道功率MOSFET

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

SI2302DDS-T1-GE3 数据手册 (8 页)

封装尺寸在6 页 7 页

SI2302DDS-T1-GE3 数据手册 (8 页)

查看文档

或点击图片查看大图

SI2302DDS-T1-GE3 技术参数、封装参数

类型

描述

引脚数

3 Pin

封装

SOT-23-3

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.045 Ω

极性

N-Channel

功耗

710 mW

阈值电压

850 mV

漏源极电压(Vds)

20 V

连续漏极电流(Ids)

2.9A

上升时间

7 ns

下降时间

7 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

710mW (Ta)

查看数据手册 >

SI2302DDS-T1-GE3 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

最小包装数量

3000

查看数据手册 >

SI2302DDS-T1-GE3 符合标准

SI2302DDS-T1-GE3 概述

SI2302DDS-T1-GE3 数据手册

VISHAY（威世）

8 页 / 0.19 MByte

SI2302DDS-T1-GE3 其他数据使用手册

VISHAY（威世）

8 页 / 0.19 MByte

SI2302DDS-T1-GE3 产品修订记录

VISHAY（威世）

3 页 / 0.08 MByte

SI2302DDST1 数据手册

SI2302DDS-T1-GE3 数据手册

VISHAY（威世）

20V,2.6A,0.075Ω,N沟道功率MOSFET

SI2302DDS-T1-GE3 数据手册

Vishay Siliconix

SI2302DDS-T1-GE3 数据手册

Vishay Semiconductor（威世）

VISHAY SI2302DDS-T1-GE3 晶体管, MOSFET, N沟道, 2.6 A, 20 V, 0.045 ohm, 4.5 V

器件 Datasheet 文档搜索

AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

热门型号