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SI2302DDS-T1-GE3
0.12
SI2302DDS-T1-GE3 数据手册 (8 页)
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SI2302DDS-T1-GE3 技术参数、封装参数

类型
描述
引脚数
3 Pin
封装
SOT-23-3
针脚数
3 Position
漏源极电阻
0.045 Ω
极性
N-Channel
功耗
710 mW
阈值电压
850 mV
漏源极电压(Vds)
20 V
连续漏极电流(Ids)
2.9A
上升时间
7 ns
下降时间
7 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
710mW (Ta)

SI2302DDS-T1-GE3 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)
最小包装数量
3000

SI2302DDS-T1-GE3 数据手册

VISHAY(威世)
8 页 / 0.19 MByte
VISHAY(威世)
8 页 / 0.19 MByte
VISHAY(威世)
3 页 / 0.08 MByte

SI2302DDST1 数据手册

VISHAY(威世)
20V,2.6A,0.075Ω,N沟道功率MOSFET
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY  SI2302DDS-T1-GE3  晶体管, MOSFET, N沟道, 2.6 A, 20 V, 0.045 ohm, 4.5 V
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