￥ 0.184

SI2318DS-T1-E3 数据手册 - Vishay Intertechnology

制造商:

Vishay Intertechnology

封装:

SOT-23

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

SI2318DS-T1-E3 数据手册 (8 页)

查看文档

或点击图片查看大图

SI2318DS-T1-E3 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

SOT-23

漏源极电阻

36 mΩ

功耗

750 mW

阈值电压

3 V

漏源极电压(Vds)

40 V

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

SI2318DS-T1-E3 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

包装方式

Cut Tape (CT)

工作温度

-55℃ ~ 150℃

SI2318DS-T1-E3 符合标准

SI2318DS-T1-E3 数据手册

SI2318DS-T1-E3 其他数据使用手册

Vishay Intertechnology

8 页 / 0.18 MByte

SI2318DST1 数据手册

SI2318DS-T1-E3 数据手册

VISHAY（威世）

SI2318DS-T1-E3 编带

SI2318DS-T1-GE3 数据手册

VISHAY（威世）

场效应管, MOSFET, N沟道, 3A, 40V, 750mW

SI2318DS-T1-E3 数据手册

Vishay Siliconix

SI2318DS-T1-GE3 数据手册

Vishay Siliconix

SI2318DS-T1-E3 数据手册

Vishay Semiconductor（威世）

VISHAY SI2318DS-T1-E3 场效应管, MOSFET, N沟道, 40V, 3.9A, TO-236, 整卷

SI2318DS-T1-GE3 数据手册

Vishay Semiconductor（威世）

VISHAY SI2318DS-T1-GE3 场效应管, MOSFET, N沟道, 3A, 40V, 750mW

SI2318DS-T1-E3/BKN 数据手册

Vishay Siliconix

SI2318DS-T1-E3 数据手册

Vishay Intertechnology

SI2318DS-T1-E3/BKN 数据手册

Vishay Semiconductor（威世）

SI2318DS-T1-GE3 数据手册

Vishay Intertechnology

器件 Datasheet 文档搜索

AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

热门型号