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FCD850N80Z
9.179
FCD850N80Z 数据手册 (10 页)
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FCD850N80Z 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
封装
TO-252-3
极性
N-CH
功耗
75 W
漏源极电压(Vds)
800 V
连续漏极电流(Ids)
6A
上升时间
10 ns
输入电容值(Ciss)
1315pF @100V(Vds)
下降时间
4.5 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
75W (Tc)

FCD850N80Z 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Unknown
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
6.73 mm
宽度
6.22 mm
高度
2.39 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

FCD850N80Z 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
10 页 / 1.01 MByte

FCD850N80 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
晶体管, MOSFET, N沟道, 6 A, 800 V, 0.71 ohm, 10 V, 4.5 V
Fairchild(飞兆/仙童)
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