￥ 0.262

SI2323CDS-T1-GE3 数据手册 - VISHAY（威世）

制造商:

VISHAY（威世）

分类:

MOS管

封装:

SOT-23-3

描述:

P沟道20 V （D -S ）的MOSFET P-Channel 20 V (D-S) MOSFET

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

SI2323CDS-T1-GE3 数据手册 (9 页)

封装尺寸在7 页 8 页

SI2323CDS-T1-GE3 数据手册 (9 页)

查看文档

或点击图片查看大图

SI2323CDS-T1-GE3 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

SOT-23-3

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.032 Ω

极性

P-Channel

功耗

2.5 W

阈值电压

400 mV

漏源极电压(Vds)

20 V

连续漏极电流(Ids)

上升时间

23 ns

输入电容值(Ciss)

1090pF @10V(Vds)

额定功率(Max)

2.5 W

下降时间

12 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

1250 mW

查看数据手册 >

SI2323CDS-T1-GE3 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

最小包装数量

3000

查看数据手册 >

SI2323CDS-T1-GE3 符合标准

SI2323CDS-T1-GE3 海关信息

SI2323CDS-T1-GE3 数据手册

VISHAY（威世）

9 页 / 0.18 MByte

SI2323CDS-T1-GE3 其他数据使用手册

VISHAY（威世）

10 页 / 0.2 MByte

SI2323CDS-T1-GE3 产品修订记录

VISHAY（威世）

2 页 / 0.09 MByte

SI2323CDST1 数据手册

SI2323CDS-T1-GE3 数据手册

VISHAY（威世）

P沟道20 V （D -S ）的MOSFET P-Channel 20 V (D-S) MOSFET

SI2323CDS-T1-GE3 数据手册

Vishay Siliconix

SI2323CDS-T1-GE3 数据手册

Vishay Semiconductor（威世）

VISHAY SI2323CDS-T1-GE3 晶体管, MOSFET, P沟道, -6 A, -20 V, 0.032 ohm, -4.5 V, -400 mV

SI2323CDS-T1-GE3 数据手册

Vishay Intertechnology

器件 Datasheet 文档搜索

AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

热门型号