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SI2323CDS-T1-GE3
0.262
SI2323CDS-T1-GE3 数据手册 (9 页)
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SI2323CDS-T1-GE3 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
封装
SOT-23-3
针脚数
3 Position
漏源极电阻
0.032 Ω
极性
P-Channel
功耗
2.5 W
阈值电压
400 mV
漏源极电压(Vds)
20 V
连续漏极电流(Ids)
6A
上升时间
23 ns
输入电容值(Ciss)
1090pF @10V(Vds)
额定功率(Max)
2.5 W
下降时间
12 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
1250 mW

SI2323CDS-T1-GE3 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)
最小包装数量
3000

SI2323CDS-T1-GE3 数据手册

VISHAY(威世)
9 页 / 0.18 MByte
VISHAY(威世)
10 页 / 0.2 MByte
VISHAY(威世)
2 页 / 0.09 MByte

SI2323CDST1 数据手册

VISHAY(威世)
P沟道20 V (D -S )的MOSFET P-Channel 20 V (D-S) MOSFET
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY  SI2323CDS-T1-GE3  晶体管, MOSFET, P沟道, -6 A, -20 V, 0.032 ohm, -4.5 V, -400 mV
Vishay Intertechnology
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